IRF3709Z/S/LPbF
TO-262 Package Outline
IGBT
1- GATE
2- COLLECTOR
3- EMITTER
TO-262 Part Marking Information
EXAMPLE: T HIS IS AN IRL3103L
LOT CODE 1789
AS S EMBLED ON WW 19, 1997
IN T HE AS S EMBLY LINE "C"
Note: "P" in as s embly line
pos ition indicates "Lead-Free"
OR
INT ERNAT IONAL
RECTIFIER
LOGO
AS S EMBLY
LOT CODE
PART NUMBER
DAT E CODE
YEAR 7 = 1997
WEEK 19
LINE C
INT ERNATIONAL
RECTIFIER
PART NUMBER
LOGO
DATE CODE
www.irf.com
AS S EMBLY
LOT CODE
P = DES IGNAT ES LEAD-FREE
PRODUCT (OPT IONAL)
YEAR 7 = 1997
WEEK 19
A = AS S EMBLY S IT E CODE
11
相关PDF资料
IRF3710L MOSFET N-CH 100V 57A TO-262
IRF3711ZCSTRLP MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
IRF3711ZSTRLPBF MOSFET N-CH 20V 92A D2PAK
IRF4905STRR MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK
IRF510STRLPBF MOSFET N-CH 100V 5.6A D2PAK
IRF510 MOSFET N-CH 100V 5.6A TO-220AB
IRF520NSTRR MOSFET N-CH 100V 9.7A D2PAK
IRF520N MOSFET N-CH 100V 9.7A TO-220AB
相关代理商/技术参数
IRF3709ZSTRR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 87A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3709ZSTRRPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 30V 87A 6.3mOhm 17nC Qg RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3710 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N TO-220
IRF3710HR 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB 制造商:International Rectifier 功能描述:TRANS MOSFET N-CH 100V 57A 3PIN TO-220AB - Rail/Tube
IRF3710L 功能描述:MOSFET N-CH 100V 57A TO-262 RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:HEXFET® 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IRF3710LPBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3710PBF 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 57A 23mOhm 86.7nC RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRF3710S 制造商:International Rectifier 功能描述:Trans MOSFET N-CH 100V 57A 3-Pin(2+Tab) D2PAK 制造商:International Rectifier 功能描述:MOSFET N D2-PAK